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総合研究所で青紫色レーザ発振に成功
パイオニア株式会社は、総合研究所で次世代光ディスクに不可欠な青紫色レーザの発振に成功しました。
当社では、光ディスクの高密度化のために4年前から青紫色レーザの研究に取組み、名城大学の赤崎教授の指導を得て開発を進めてきましたが、去る6月18日に電流注入により青紫色レーザが発振しました。
当社の青紫色レーザの特長は、結晶成長を低圧の反応炉で行うことにより、結晶層の均一化に優れ、量産性が高いことにあります。
今後、結晶成長技術、デバイス作製プロセスおよびデバイス構造を最適化することにより、閾(しきい)電流密度および動作電圧を低減させ、連続発振、実用的な出力と寿命の確保などの課題に取り組み、青紫色レーザの完成に向けて開発を続けていきます。
発振条件
駆動条件:0.5μsecパルス、0.02%デューティ *μsec(マイクロセコンド) 100万分の1秒 閾電流値:800mA 電圧:34V 発振波長:410nm *nm(ナノメートル) 10億分の1メートル
構造
InGaN/GaN/AlGaN SCH (分離閉じ込めヘテロ構造) 活性層は10層の MQW 減圧有機金属気相成長法(MOCVD)により作製 基板はサファイア 共振器ミラーは劈開により作製、反射膜は特になし
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