| [Power MOS FET 50W×4chアンプ] |
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優れた低歪率と総合200Wのハイパワーを両立する。 |
高音質とハイパワーの両立を可能とする、優れたアンプ出力素子「Power
MOS FET」を用いた高性能アンプ。一般的なトランジスターは電流変化によって動作しますが、MOS FETは入力インピーダンスが高く、真空管と同じ電圧の変化で作動します。MOS
FETの特徴は、動作が高速で、ノンスイッチング回路と連動させることにより、高音や小音量時に音質を阻害するスイッチング歪みを大幅に抑制できること。ピアノやギターといったアコースティックな楽器の豊かな響きや余韻などを、リアルに表現できます。
また、素子の内部抵抗が小さいため、大出力にも有利です。小型化が難しかったため、以前は外部アンプのみに使用されていたこのMOS FETを他に先駆けて内蔵アンプに採用したパイオニアは、さまざまな改良の結果、素子内部のエネルギーロスを最小に抑え、50W×4chの総合200Wという大出力かつ高音質なアンプとして完成させました。
※MOS FET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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